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1、最低0.27元开通文库会员，查看完整内容> 原发布者:zhbrain 更新说明目录一、NMOS管等效电路4二、公司固定传感器控制盒PMOS开关电路分析4PMOS开关管电路设计指南一、NMOS管等效电路A）B）图2NMOS管等效模型驱动G极时，因为输入电容Ciss（Cgd+Cgs）的存在，要求电压变化快，i=Cdu/dt，当G极电流大时，du/dt也大，增大开关速度。

2、2、根据B图，功率MOS管内部存在等效三极管，当S接地，刚上电时，三极管会导通，且电流有可能过大，所以，最好D极有缓启动电路保护。

3、3、根据A图，反向寄生二极管有可能被正向或反向击穿。

4、反向击穿有可能因为D极部分，当电源开启时会有冲击电流，因为线上电感原因，U=Ldi/dt，导致U过大。

5、正向击穿，可能因为S极在关电时，因为线上电感原因，造成U过大；或者线上串入能量较大干扰电压，导致寄生二极管正向通道电流过大，烧毁寄生二极管，从而造成MOS管失效。

6、二、控制盒PMOS开关电路分析小电流切换电路A)B)图35V激光器驱动电路和24VLED灯驱动电路电路A：1）三极管集电极电阻过大，导致开关速度不高；考虑是激光器驱动电路，正好使用这个缓启动功能。

7、2）MOS管损坏过，现象是能够正常开启MOS管，但不能完全关断MOS管，怀疑是MOS管寄生二极管损坏导致。

8、解决办法，a）更换Vds较大的MOS管（IRLML5203，Vds最大30V，而6401的Vds最大12V）b）电源处增加缓启动c）D端增加5VTVSd）在输出端口增加电阻等措施e）去掉输出π型滤波电路上的并。

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